Diodes Incorporated - DMG2301LK-7

KEY Part #: K6394313

DMG2301LK-7 ფასები (აშშ დოლარი) [857993ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04311
  • 3,000 pcs$0.03915

Ნაწილი ნომერი:
DMG2301LK-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CHA 20V 2.4A SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMG2301LK-7 electronic components. DMG2301LK-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG2301LK-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG2301LK-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMG2301LK-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET P-CHA 20V 2.4A SOT23
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.4A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 3.4nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±12V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 156pF @ 6V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 840mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

  • ZVN0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

  • FDD86569-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.

  • IRLIZ44G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP.

  • IRFI830G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP.