Vishay Semiconductor Diodes Division - BYV28-050-TAP

KEY Part #: K6440211

BYV28-050-TAP ფასები (აშშ დოლარი) [215486ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.17251
  • 12,500 pcs$0.17165

Ნაწილი ნომერი:
BYV28-050-TAP
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE AVALANCHE 50V 3.5A SOD64.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYV28-050-TAP electronic components. BYV28-050-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV28-050-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV28-050-TAP პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BYV28-050-TAP
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE AVALANCHE 50V 3.5A SOD64
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Avalanche
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3.5A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 5A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : SOD-64, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOD-64
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier

  • SE10FD-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FDHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier