Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU6D-E3/45

KEY Part #: K6540456

GBU6D-E3/45 ფასები (აშშ დოლარი) [51384ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.72331
  • 10 pcs$0.65140
  • 25 pcs$0.61461
  • 100 pcs$0.52363
  • 250 pcs$0.49169
  • 500 pcs$0.43022
  • 1,000 pcs$0.33720
  • 2,500 pcs$0.31395
  • 5,000 pcs$0.30232

Ნაწილი ნომერი:
GBU6D-E3/45
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.8A GBU. Bridge Rectifiers 200 Volt 6.0 Amp Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBU6D-E3/45 electronic components. GBU6D-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBU6D-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBU6D-E3/45 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GBU6D-E3/45
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 3.8A GBU
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3.8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 3A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 200V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, GBU
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBU

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GBPC2502W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 200 Volt

  • GBPC2510W-E4/51

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W. Bridge Rectifiers 25 Amp 1000 Volt

  • VS-GBPC3512W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A GBPC-W. Bridge Rectifiers 1200 Volt 35 Amp

  • TSS4B03G D2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect

  • TS6KL60 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJL. Bridge Rectifiers 6A 600V Standard Bridge Rectif

  • TS10KL80 D3G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBJL. Bridge Rectifiers 10A 800V Standard Bridge Rectif