ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42RM16160K-6BLI-TR

KEY Part #: K938171

Დეტალური აღწერა:: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256M, 2.5V, 166Mhz Mobile SDRAM

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მონაცემთა შეძენა - ციფრული ანალოგური გადამყვანების, PMIC - ბატარეის მენეჯმენტი, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, საათი / დრო - განაცხადის სპეციფიკური, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს, ჩაშენებული - PLD (პროგრამირებადი ლოგიკური მოწყობილ, PMIC - LED მძღოლები and ლოგიკა - მულტივიბრატორი ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160K-6BLI-TR electronic components. IS42RM16160K-6BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42RM16160K-6BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : IS42RM16160K-6BLI-TR

მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

მეხსიერების ტიპი : Volatile

მეხსიერების ფორმატი : DRAM

ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile

მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)

საათის სიხშირე : 166MHz

დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -

წვდომის დრო : 5.5ns

მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel

ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 3V

ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : 54-TFBGA

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 54-TFBGA (8x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

AT27C4096-90PU

Microchip Technology

IC EPROM 4M PARALLEL 40DIP. EPROM 4Mb (256Kx16) OTP 5V 90ns
71V3576S150PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
71V3577S75PFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X
W94AD2KBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

ცხელი ნაწილები