S1JL R3G ფასები (აშშ დოლარი) [1299630ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.02846
- Ნაწილი ნომერი:
- S1JL R3G
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA. Rectifiers 1A, 600V, GLASS PASSIVATED SMF RECTIFIER
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დენის მართვის მოდული ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1JL R3G electronic components. S1JL R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1JL R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1JL R3G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
S1JL R3G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 1A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
1.8µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
9pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Sub SMA
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
1SS193-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100mA, 80V
-
MMBD914-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V
-
BAS16WT-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150mA 75V
-
BAS19WT-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V
-
-
SS2FH10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 100V AEC-Q101 Qualified
ცხელი ნაწილები
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置