1N5819HW1-7-F ფასები (აშშ დოლარი) [766065ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.04828
- 3,000 pcs$0.04385
- 6,000 pcs$0.04142
- 15,000 pcs$0.03776
- 30,000 pcs$0.03533
- Ნაწილი ნომერი:
- 1N5819HW1-7-F
- მწარმოებელი:
- Diodes Incorporated
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE SBR 40V 1A SOD123F. Schottky Diodes & Rectifiers 1A SBR 40Vrrm 0.51Vf 0.5mA 28Vrms
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - RF ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N5819HW1-7-F electronic components. 1N5819HW1-7-F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5819HW1-7-F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5819HW1-7-F პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
1N5819HW1-7-F
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
DIODE SBR 40V 1A SOD123F
სერიები :
SBR®
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Super Barrier
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
40V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
510mV @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
15ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
500µA @ 40V
Capacitance @ Vr, F :
30pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SOD-123F
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOD-123F
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 125°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
-
VS-4EWH02FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK. Rectifiers 4A 200V Hyperfast 23ns FRED Pt
-
-
RS07K-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GP 800V 500MA DO219AB. Rectifiers SWITCHING DIODE GENPURP SMF DO219e3M
ცხელი ნაწილები
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF
选择你的位置