ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42RM16800H-6BLI

KEY Part #: K938591

IS42RM16800H-6BLI ფასები (აშშ დოლარი) [21101ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.59823
  • 348 pcs$2.58530

Ნაწილი ნომერი:
IS42RM16800H-6BLI
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M, 2.5V, M-SDRAM 8Mx16, 166Mhz, RoHS
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - კონტროლერები, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, ინტერფეისი - სპეციალიზირებული, ინტერფეისი - სერიალიზატორი, დესელიზატორები, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, PMIC - ძაბვის მითითება, ინტერფეისი - I / O Expanders and მონაცემთა შეძენა - ანალოგური წინა ბოლოს (AFE) ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-6BLI electronic components. IS42RM16800H-6BLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42RM16800H-6BLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42RM16800H-6BLI პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS42RM16800H-6BLI
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile
მეხსიერების ზომა : 128Mb (8M x 16)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5.5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 54-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 54-TFBGA (8x8)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • AT28HC64BF-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • AT28HC64B-90SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 90NS IND TEMP

  • AT28HC64B-70SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM PRLLEL EEPROM 64K 8K 70NS SOIC IND TMP GR

  • MB85R256FPNF-G-JNERE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP.

  • 7164S25TPG

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 64K PARALLEL 28DIP. SRAM 64K(8KX8) BICMOS STAT RAM

  • W9825G2JB-75 TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz, T&R