ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43LR16800G-6BLI-TR

KEY Part #: K939329

IS43LR16800G-6BLI-TR ფასები (აშშ დოლარი) [24533ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.23473
  • 2,000 pcs$2.22361

Ნაწილი ნომერი:
IS43LR16800G-6BLI-TR
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 128M, 1.8V, M-DDR 8Mx32, 166Mhz, RoHS
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, PMIC - ხელმძღვანელები, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, ინტერფეისი - მძღოლები, მიმღები, გადამცემები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - ვიდეო ამპერები და მოდ, ლოგიკა - მულტივიბრატორი, სპეციალიზებული აივ and ლოგიკა - პარიტეტის გენერატორები და ქვები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16800G-6BLI-TR electronic components. IS43LR16800G-6BLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43LR16800G-6BLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43LR16800G-6BLI-TR პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43LR16800G-6BLI-TR
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR
მეხსიერების ზომა : 128Mb (8M x 16)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 5.5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-TFBGA (8x10)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • U62256ADK07LLG1

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM ZMD 32K x 8 5V Asynch

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.