GeneSiC Semiconductor - GA10SICP12-263

KEY Part #: K6394031

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა and დიოდები - RF ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA10SICP12-263 electronic components. GA10SICP12-263 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA10SICP12-263, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : GA10SICP12-263

მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor

აღწერა : TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

FET ტიპი : -

ტექნოლოგია : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1200V

მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)

წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -

Vgs (მაქს) : -

შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1403pF @ 800V

FET თვისება : -

დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 170W (Tc)

ოპერაციული ტემპერატურა : 175°C (TJ)

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D2PAK (7-Lead)

პაკეტი / საქმე : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ