Vishay Semiconductor Diodes Division - NSB8KTHE3/45

KEY Part #: K6445654

[2033ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    NSB8KTHE3/45
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - SCRs - მოდულები and დიოდები - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8KTHE3/45 electronic components. NSB8KTHE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8KTHE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NSB8KTHE3/45 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : NSB8KTHE3/45
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 8A
    სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 800V
    Capacitance @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • PMEG2010AEK,115

      NXP USA Inc.

      DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMT3.

    • SBL1030HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB.

    • UGB5JT-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB.

    • UGB5JTHE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB.

    • UGB12JTHE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB.

    • UGB5HTHE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 500V 5A TO263AB.