Ნაწილი ნომერი :
TK8Q60W,S1VQ
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET N CH 600V 8A IPAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 400µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
18.5nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
570pF @ 300V
FET თვისება :
Super Junction
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
80W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
I-PAK
პაკეტი / საქმე :
TO-251-3 Stub Leads, IPak