ON Semiconductor - ISL9R3060P2

KEY Part #: K6446871

ISL9R3060P2 ფასები (აშშ დოლარი) [29225ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.48075
  • 10 pcs$1.33003
  • 100 pcs$1.03371
  • 500 pcs$0.87997
  • 1,000 pcs$0.74214

Ნაწილი ნომერი:
ISL9R3060P2
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching 30A 600V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor ISL9R3060P2 electronic components. ISL9R3060P2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ISL9R3060P2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ISL9R3060P2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : ISL9R3060P2
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
სერიები : Stealth™
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 30A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 2.4V @ 30A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 45ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GPP60G-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 6A P600.

  • GPP60B-E3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A P600.

  • BYM07-200HE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

  • NSB8JTHE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB.

  • MBRB7H45-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A TO263AB.

  • MBRB750HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 7.5A TO263AB.