STMicroelectronics - STD110N8F6

KEY Part #: K6419558

STD110N8F6 ფასები (აშშ დოლარი) [118809ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.31132
  • 2,500 pcs$0.27713

Ნაწილი ნომერი:
STD110N8F6
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დენის მართვის მოდული, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STD110N8F6 electronic components. STD110N8F6 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD110N8F6, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD110N8F6 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STD110N8F6
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
სერიები : STripFET™ F6
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 9130pF @ 40V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 167W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DPAK
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ