Ნაწილი ნომერი :
STD110N8F6
მწარმოებელი :
STMicroelectronics
აღწერა :
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
150nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
9130pF @ 40V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
167W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DPAK
პაკეტი / საქმე :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63