Infineon Technologies - IPB80N04S403ATMA1

KEY Part #: K6411700

IPB80N04S403ATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [123700ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.29901
  • 1,000 pcs$0.27434

Ნაწილი ნომერი:
IPB80N04S403ATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPB80N04S403ATMA1 electronic components. IPB80N04S403ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N04S403ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB80N04S403ATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPB80N04S403ATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 53µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5260pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 94W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO263-3-2
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVP2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 0.28A TO92-3.

  • 2N7000-D74Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR7843TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 161A DPAK.

  • IRFR4105ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • FDN308P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3.