IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V65803S100BGI

KEY Part #: K915956

71V65803S100BGI ფასები (აშშ დოლარი) [5330ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$9.08213
  • 84 pcs$9.03694

Ნაწილი ნომერი:
71V65803S100BGI
მწარმოებელი:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Დეტალური აღწერა:
IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA. SRAM 512Kx18 ZBT SYNC 3.3V PIPELINED SRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: IC ჩიპები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - ვიდეო ამპერები და მოდ, ლოგიკა - მრიცხველები, გამყოფი, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, ლოგიკა - ბუფერები, მძღოლები, მიმღები, გადამცემები, სპეციალიზებული აივ and PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S100BGI electronic components. 71V65803S100BGI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 71V65803S100BGI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V65803S100BGI პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 71V65803S100BGI
მწარმოებელი : IDT, Integrated Device Technology Inc
აღწერა : IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : SRAM
ტექნოლოგია : SRAM - Synchronous ZBT
მეხსიერების ზომა : 9Mb (512K x 18)
საათის სიხშირე : 100MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3.135V ~ 3.465V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 119-BGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 119-PBGA (14x22)
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IS61LPD51236A-250B3LI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA. SRAM 18M (512Kx36) 250MHz Sync SRAM 3.3v

  • W25Q257FVFIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

  • W25Q257FVFIG TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 256MBIT 16SOIC.

  • MT41K512M16HA-107 IT:A

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ. DRAM 8G - monolithic die 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA

  • MT41K512M16HA-107G:A

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 8G PARALLEL 933MHZ.

  • MT25QU128ABA8ESF-0AAT

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2.