Infineon Technologies - IRFB41N15D

KEY Part #: K6414619

[12693ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRFB41N15D
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IRFB41N15D electronic components. IRFB41N15D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB41N15D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFB41N15D პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRFB41N15D
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
    სერიები : HEXFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 41A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 110nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±30V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2520pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 200W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
    პაკეტი / საქმე : TO-220-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • 94-2335

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

    • IRLR8503

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

    • IRFR18N15D

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.

    • IRFI9634G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP.

    • IRFI9640G

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220FP.

    • IRLIZ34G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP.