Sanken - RH 1BV

KEY Part #: K6457308

RH 1BV ფასები (აშშ დოლარი) [445338ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.08452
  • 9,000 pcs$0.08410

Ნაწილი ნომერი:
RH 1BV
მწარმოებელი:
Sanken
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Sanken RH 1BV electronic components. RH 1BV can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RH 1BV, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RH 1BV პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : RH 1BV
მწარმოებელი : Sanken
აღწერა : DIODE GEN PURP 800V 600MA AXIAL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 600mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.3V @ 600mA
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 4µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SS14-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC. Schottky Diodes & Rectifiers 1.0 Amp 40 Volt

  • ESH2DHE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD

  • UH2CHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD

  • UH2BHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,25ns, SMB Planar FER RECT, SMD

  • ES2B-E3/52T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • ES2FHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,300V,35ns, SMB F.EFF.SM DIODE