IXYS - IXTH12N150

KEY Part #: K6394917

IXTH12N150 ფასები (აშშ დოლარი) [9758ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.66879
  • 30 pcs$4.64556

Ნაწილი ნომერი:
IXTH12N150
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTH12N150 electronic components. IXTH12N150 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH12N150, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH12N150 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTH12N150
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 1500V 12A TO-247
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 106nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3720pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 890W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247 (IXTH)
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ