Microsemi Corporation - JANTX1N6629US

KEY Part #: K6448057

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6629US electronic components. JANTX1N6629US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6629US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : JANTX1N6629US

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

სერიები : Military, MIL-PRF-19500/590

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Standard

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 880V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.4A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.4V @ 1.4A

სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 880V

Capacitance @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, E

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

GPP60GHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 6A P600.
GPP60DHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 6A P600.
GPP60D-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 6A P600.
GPP60BHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.
GPP60AHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 50V 6A P600.
GPP60A-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 50V 6A P600.

ცხელი ნაწილები