მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6.3A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.95 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
31nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1500pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
185W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-3P
პაკეტი / საქმე :
TO-3P-3, SC-65-3