BAT54XV2T5G ფასები (აშშ დოლარი) [2705276ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.01394
- 8,000 pcs$0.01387
- 16,000 pcs$0.01179
- 24,000 pcs$0.01110
- 56,000 pcs$0.01040
- 200,000 pcs$0.00925
- Ნაწილი ნომერი:
- BAT54XV2T5G
- მწარმოებელი:
- ON Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY DIODE 30V
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in ON Semiconductor BAT54XV2T5G electronic components. BAT54XV2T5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAT54XV2T5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAT54XV2T5G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
BAT54XV2T5G
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
30V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
200mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
800mV @ 100mA
სიჩქარე :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
5ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
2µA @ 25V
Capacitance @ Vr, F :
10pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
SC-79, SOD-523
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOD-523
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 125°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single
-
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
-
BYWB29-50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
ცხელი ნაწილები
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置