თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. 1N8030-GA

GeneSiC Semiconductor - 1N8030-GA

KEY Part #: K6428136

1N8030-GA ფასები (აშშ დოლარი) [488ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$89.56064
  • 10 pcs$85.23848
  • 25 pcs$82.15037
Ნაწილი ნომერი:
1N8030-GA
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N8030-GA electronic components. 1N8030-GA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N8030-GA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N8030-GA პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N8030-GA
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
დიოდის ტიპი : Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 650V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 750mA
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.39V @ 750mA
სიჩქარე : No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F : 76pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-257-3
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-257
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 250°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • GP2D012A065C

    Global Power Technologies Group

    DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2.

  • STPS30M100SFP

    STMicroelectronics

    DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220FP. Schottky Diodes & Rectifiers 100V 30A

  • CDBFN140-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V, IO=1A

  • V35PW12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PWM15HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers 35A If(AV) TO-252AE AEC-Q101 Qualified

  • V35PW45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK. Schottky Diodes & Rectifiers If(AV) 35A Vrrm 45V TMBS eSMP Trench MOS

ცხელი ნაწილები