Cypress Semiconductor Corp - S25FL127SABNFV100

KEY Part #: K940210

S25FL127SABNFV100 ფასები (აშშ დოლარი) [28566ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.60415

Ნაწილი ნომერი:
S25FL127SABNFV100
მწარმოებელი:
Cypress Semiconductor Corp
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8WSON. NOR Flash Nor
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - LED მძღოლები, IC ჩიპები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, ინტერფეისი - მოდულები, PMIC - ლაზერული დრაივერი, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, PMIC - დენის განაწილების კონცენტრატორები, დატვირთვ and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Cypress Semiconductor Corp S25FL127SABNFV100 electronic components. S25FL127SABNFV100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S25FL127SABNFV100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S25FL127SABNFV100 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : S25FL127SABNFV100
მწარმოებელი : Cypress Semiconductor Corp
აღწერა : IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8WSON
სერიები : FL-S
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NOR
მეხსიერების ზომა : 128Mb (16M x 8)
საათის სიხშირე : 108MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : -
მეხსიერების ინტერფეისი : SPI - Quad I/O
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 105°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-WDFN Exposed Pad
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-WSON (6x8)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • W94AD2KBJX5I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R

  • W632GG8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GG8MB-11

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

  • W632GU8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GU8MB-12

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,