Vishay Siliconix - SI7322DN-T1-GE3

KEY Part #: K6418546

SI7322DN-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [133988ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.27605
  • 3,000 pcs$0.23327

Ნაწილი ნომერი:
SI7322DN-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - RF and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI7322DN-T1-GE3 electronic components. SI7322DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7322DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7322DN-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI7322DN-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 750pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerPAK® 1212-8
პაკეტი / საქმე : PowerPAK® 1212-8

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.