Vishay Semiconductor Diodes Division - BAV18-TAP

KEY Part #: K6439524

BAV18-TAP ფასები (აშშ დოლარი) [5313718ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.00735
  • 50,000 pcs$0.00731

Ნაწილი ნომერი:
BAV18-TAP
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 60 Volt 625mA
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BAV18-TAP electronic components. BAV18-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAV18-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAV18-TAP პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BAV18-TAP
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 250mA (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 100mA
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100nA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : 1.5pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AH, DO-35, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-35
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : 175°C (Max)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DSEP6-06BS

    IXYS

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6 Amps 600V

  • DLA10IM800UC

    IXYS

    DIODE GEN PURP 800V 10A TO252. Rectifiers 10 Amps 800V

  • S1FLD-M-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 200V 700MA DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3M

  • S1FLJ-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers GENPURP SWITCHING DIODESMFDO219ECO-e3

  • RS07D-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 200V 500MA DO219AB. Rectifiers 200 Volt 0.7A 150ns

  • RS07J-GS08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GP 600V 500MA DO219AB. Rectifiers 600 Volt 0.7A 150ns