FESB8FT-E3/81 ფასები (აშშ დოლარი) [113043ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.32720
- 800 pcs$0.30646
- Ნაწილი ნომერი:
- FESB8FT-E3/81
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB. Rectifiers 300 Volt 8.0A 50ns Single
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and Thististors - DIACs, SIDACs ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESB8FT-E3/81 electronic components. FESB8FT-E3/81 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESB8FT-E3/81, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FESB8FT-E3/81 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
FESB8FT-E3/81
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
300V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.3V @ 8A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
50ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 300V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-263AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
SL03-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1.1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1.1A .395V
-
FESB16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 100 Volt 35ns
-
FESB16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 150 Volt 35ns
-
FESB16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 16A TO263AB. Rectifiers 16 Amp 50 Volt 35ns
-
FESB8DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB. Rectifiers 200 Volt 8.0A 35ns Single
ცხელი ნაწილები
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08
选择你的位置