Vishay Semiconductor Diodes Division - RGP02-15EHE3/53

KEY Part #: K6443555

[2751ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    RGP02-15EHE3/53
    მწარმოებელი:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GP 1.5KV 500MA DO204AL.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP02-15EHE3/53 electronic components. RGP02-15EHE3/53 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP02-15EHE3/53, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RGP02-15EHE3/53 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : RGP02-15EHE3/53
    მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
    აღწერა : DIODE GP 1.5KV 500MA DO204AL
    სერიები : Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1500V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 500mA
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.8V @ 100mA
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 300ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 1500V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-204AL (DO-41)
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • UD0506T-TL-HX

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0504T-P-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

    • SCS210AJHRTLL

      Rohm Semiconductor

      DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified

    • VS-8EWF02S-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

    • V30100S-M3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,100V,SINGLE TRENCH SKY RECT.

    • V30120SG-E3/4W

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS