Toshiba Semiconductor and Storage - TK8Q65W,S1Q

KEY Part #: K6397811

TK8Q65W,S1Q ფასები (აშშ დოლარი) [59949ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.71913
  • 75 pcs$0.57949
  • 150 pcs$0.52154
  • 525 pcs$0.40564
  • 1,050 pcs$0.31793

Ნაწილი ნომერი:
TK8Q65W,S1Q
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W,S1Q electronic components. TK8Q65W,S1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK8Q65W,S1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK8Q65W,S1Q პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TK8Q65W,S1Q
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
სერიები : DTMOSIV
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7.8A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 670 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 300µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 570pF @ 300V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 80W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : I-PAK
პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Stub Leads, IPak

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IXFY4N60P3

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 4A TO-252.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.