IXYS - IXTP120N04T2

KEY Part #: K6394576

IXTP120N04T2 ფასები (აშშ დოლარი) [56679ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.79735
  • 50 pcs$0.79339

Ნაწილი ნომერი:
IXTP120N04T2
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTP120N04T2 electronic components. IXTP120N04T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP120N04T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP120N04T2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTP120N04T2
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
სერიები : TrenchT2™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3240pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 200W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ