ON Semiconductor - NTJD4105CT2G

KEY Part #: K6523266

NTJD4105CT2G ფასები (აშშ დოლარი) [797283ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04639
  • 3,000 pcs$0.04276

Ნაწილი ნომერი:
NTJD4105CT2G
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor NTJD4105CT2G electronic components. NTJD4105CT2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTJD4105CT2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTJD4105CT2G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : NTJD4105CT2G
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N and P-Channel
FET თვისება : Logic Level Gate
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V, 8V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 630mA, 775mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 3nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 46pF @ 20V
ძალა - მაქსიმუმი : 270mW
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-88/SC70-6/SOT-363

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SI1539DDL-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.