Infineon Technologies - FF1000R17IE4BOSA1

KEY Part #: K6533599

FF1000R17IE4BOSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [137ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$334.39683

Ნაწილი ნომერი:
FF1000R17IE4BOSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - TRIACs, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FF1000R17IE4BOSA1 electronic components. FF1000R17IE4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF1000R17IE4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF1000R17IE4BOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FF1000R17IE4BOSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : 2 Independent
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 1700V
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : -
ძალა - მაქსიმუმი : 6250W
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 1000A
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 5mA
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 81nF @ 25V
შეყვანა : Standard
NTC თერმოსტორი : Yes
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
პაკეტი / საქმე : Module
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Module

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-CPV363M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 184A 577W SOT-227.