Infineon Technologies - IRFU12N25DPBF

KEY Part #: K6411865

[13643ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRFU12N25DPBF
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IRFU12N25DPBF electronic components. IRFU12N25DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFU12N25DPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFU12N25DPBF პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRFU12N25DPBF
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
    სერიები : HEXFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 250V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 260 mOhm @ 8.4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 35nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±30V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 810pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 144W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : IPAK (TO-251)
    პაკეტი / საქმე : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • DMN3026LVT-7

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

    • ZVN2106A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

    • IRFR7546TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.

    • IRFR4615TRLPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

    • IRLR8113TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRFR12N25DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.