[1926ცალი საფონდო]
- Ნაწილი ნომერი:
- US1KHE3/61T
- მწარმოებელი:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division US1KHE3/61T electronic components. US1KHE3/61T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for US1KHE3/61T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
US1KHE3/61T პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
US1KHE3/61T
მწარმოებელი :
Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა :
DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
800V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.7V @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
75ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F :
10pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-214AC (SMA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
VS-8EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK. Rectifiers Ultrafast 8A 600V 60ns
-
VS-6EWL06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast 6A 600V 59ns
-
VS-8EWF12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-15EWH06FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers Hyperfast 15A 600V 22ns
-
VS-8EWS08STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VT3080S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,80V,TRENCH
ცხელი ნაწილები
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置