ON Semiconductor - FQD9N25TM-F080

KEY Part #: K6392707

FQD9N25TM-F080 ფასები (აშშ დოლარი) [153274ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.24131

Ნაწილი ნომერი:
FQD9N25TM-F080
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FQD9N25TM-F080 electronic components. FQD9N25TM-F080 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD9N25TM-F080, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQD9N25TM-F080 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FQD9N25TM-F080
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
სერიები : QFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 250V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7.4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 700pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta), 55W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-Pak
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ