Diodes Incorporated - SF30AG-T

KEY Part #: K6447004

[1573ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    SF30AG-T
    მწარმოებელი:
    Diodes Incorporated
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Diodes Incorporated SF30AG-T electronic components. SF30AG-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SF30AG-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SF30AG-T პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : SF30AG-T
    მწარმოებელი : Diodes Incorporated
    აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 950mV @ 3A
    სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : 35ns
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 50V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : DO-201AD, Axial
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-201AD
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • RHRD660S9A_NL

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK.

    • DGS13-025CS

      IXYS

      DIODE SCHOTTKY 250V 21A TO252AA.

    • MMBD1501A_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

    • MMBD1201_D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • VS-8EWX06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast

    • S1MA-E3/5AT

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC.