Vishay Siliconix - SI4490DY-T1-E3

KEY Part #: K6403317

SI4490DY-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [100757ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.38807
  • 2,500 pcs$0.30952

Ნაწილი ნომერი:
SI4490DY-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI4490DY-T1-E3 electronic components. SI4490DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4490DY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4490DY-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI4490DY-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.85A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA (Min)
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.56W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SO
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RFD12N06RLESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK.

  • FQD12N20LTM-F085P

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 200V 280 MOHM.

  • FDD3706

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK.

  • FDD7N25LZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3.

  • FCD5N60TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FQD5P10TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK.