Vishay Siliconix - SI2333DS-T1-E3

KEY Part #: K6421121

SI2333DS-T1-E3 ფასები (აშშ დოლარი) [320410ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.11544
  • 3,000 pcs$0.09778

Ნაწილი ნომერი:
SI2333DS-T1-E3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI2333DS-T1-E3 electronic components. SI2333DS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2333DS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2333DS-T1-E3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI2333DS-T1-E3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 12V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.1A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 18nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1100pF @ 6V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 750mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3 (TO-236)
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ