IXYS - IXTP1N80

KEY Part #: K6417650

IXTP1N80 ფასები (აშშ დოლარი) [37709ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.20311

Ნაწილი ნომერი:
IXTP1N80
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF and დიოდები - ხიდის გასწორება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTP1N80 electronic components. IXTP1N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP1N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP1N80 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTP1N80
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 750mA (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 25µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 8.5nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 220pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 40W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ