თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. JAN1N5811URS

Microsemi Corporation - JAN1N5811URS

KEY Part #: K6450229

JAN1N5811URS ფასები (აშშ დოლარი) [4803ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$9.06350
  • 100 pcs$9.01841
Ნაწილი ნომერი:
JAN1N5811URS
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - RF, ტირისტორები - TRIACs and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5811URS electronic components. JAN1N5811URS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5811URS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5811URS პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JAN1N5811URS
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/477
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 150V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 875mV @ 4A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 30ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 150V
Capacitance @ Vr, F : 60pF @ 10V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, B
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : B, SQ-MELF
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

Უახლესი ცნობები

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MA3D690

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 200V 5A TO220D.

  • BAS21_ND87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23.

  • BAS21_S00Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23.

  • MA3X78900L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 60V 500MA MINI3.

  • BAS21_D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23.

  • MA3X028TAL

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 6V 70MA MINI3.

ცხელი ნაწილები