Vishay Semiconductor Diodes Division - GL41A-E3/96

KEY Part #: K6458043

GL41A-E3/96 ფასები (აშშ დოლარი) [826014ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04725
  • 1,500 pcs$0.04702
  • 3,000 pcs$0.04310
  • 7,500 pcs$0.04049
  • 10,500 pcs$0.03788
  • 37,500 pcs$0.03483

Ნაწილი ნომერი:
GL41A-E3/96
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 50 Volt 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ხიდის გასწორება and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GL41A-E3/96 electronic components. GL41A-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GL41A-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GL41A-E3/96 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GL41A-E3/96
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
სერიები : SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 50V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 1A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-213AB, MELF (Glass)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-213AB
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM