Infineon Technologies - BSP149L6327HTSA1

KEY Part #: K6413318

[13142ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BSP149L6327HTSA1
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies BSP149L6327HTSA1 electronic components. BSP149L6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP149L6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSP149L6327HTSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BSP149L6327HTSA1
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
    სერიები : SIPMOS®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 200V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 660mA (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 0V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 660mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 400µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 14nC @ 5V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 430pF @ 25V
    FET თვისება : Depletion Mode
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.8W (Ta)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-SOT223-4
    პაკეტი / საქმე : TO-261-4, TO-261AA

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • 2SK3127(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM.

    • FQD4P25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.

    • FQD4N25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.