Microsemi Corporation - APTGT50H60T3G

KEY Part #: K6532650

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - DIACs, SIDACs and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Microsemi Corporation APTGT50H60T3G electronic components. APTGT50H60T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50H60T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : APTGT50H60T3G

მწარმოებელი : Microsemi Corporation

აღწერა : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

IGBT ტიპი : Trench Field Stop

კონფიგურაცია : Full Bridge Inverter

ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : 600V

მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : 80A

ძალა - მაქსიმუმი : 176W

Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A

მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : 250µA

შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : 3.15nF @ 25V

შეყვანა : Standard

NTC თერმოსტორი : Yes

ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 175°C (TJ)

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : SP3

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

VS-ETF150Y65N

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.
CPV363M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.
CPV362M4K

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.
CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.
CPV363M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.
A2C25S12M3-F

STMicroelectronics

IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.