Vishay Semiconductor Diodes Division - GBLA06-M3/51

KEY Part #: K6538151

GBLA06-M3/51 ფასები (აშშ დოლარი) [133234ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.27761
  • 3,600 pcs$0.22862

Ნაწილი ნომერი:
GBLA06-M3/51
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL. Bridge Rectifiers 4A,600V,GPP,INLINE BRIDGE
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GBLA06-M3/51 electronic components. GBLA06-M3/51 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GBLA06-M3/51, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GBLA06-M3/51 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GBLA06-M3/51
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 4A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 4A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, GBL
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : GBL

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CPC7556N

    IXYS Integrated Circuits Division

    BRIDGE RECT 1P 120V 250MA 8SOIC.

  • RMB2S-E3/80

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 3P 200V TO269AA. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • MB2M-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM. Bridge Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 35 Amp IFSM

  • TSS4B03GHC2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B.

  • TSS4B04GHC2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 4A TS4B.

  • TSS4B03GHD2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B. Bridge Rectifiers 35ns 4A 200V Sup Fst Rec Rect