Diodes Incorporated - DMG3407SSN-7

KEY Part #: K6405282

DMG3407SSN-7 ფასები (აშშ დოლარი) [773543ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.04782
  • 3,000 pcs$0.04307

Ნაწილი ნომერი:
DMG3407SSN-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 4A SC59.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMG3407SSN-7 electronic components. DMG3407SSN-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG3407SSN-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG3407SSN-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMG3407SSN-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 4A SC59
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 700pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.1W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SC-59
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ