Ნაწილი ნომერი :
DMG3407SSN-7
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
MOSFET P-CH 30V 4A SC59
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
4A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
16nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
700pF @ 15V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.1W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SC-59
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3