ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS42S32800G-7BL

KEY Part #: K936849

IS42S32800G-7BL ფასები (აშშ დოლარი) [15181ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.61138
  • 240 pcs$3.59341

Ნაწილი ნომერი:
IS42S32800G-7BL
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M 8Mx32 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - გეითსი და ინვერტორები, ლოგიკა - ფლიპ ფლოპები, ლოგიკა - FIFO მეხსიერება, PMIC - ძაბვის მითითება, ლოგიკა - ლატჩები, მეხსიერება - კონფიგურაციის პროფილაქტიკა FPGA– სთვი, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი and PMIC - AC DC გადამყვანი, ოფლაინ გადამრთველები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-7BL electronic components. IS42S32800G-7BL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS42S32800G-7BL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS42S32800G-7BL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS42S32800G-7BL
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM
მეხსიერების ზომა : 256Mb (8M x 32)
საათის სიხშირე : 143MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 5.4ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 3V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 90-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 90-TFBGA (8x13)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16