Taiwan Semiconductor Corporation - KBL603G T0

KEY Part #: K6538075

KBL603G T0 ფასები (აშშ დოლარი) [188489ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.19623

Ნაწილი ნომერი:
KBL603G T0
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBL. Bridge Rectifiers 6A 200V GLASS PASS INLINE
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation KBL603G T0 electronic components. KBL603G T0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KBL603G T0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

KBL603G T0 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : KBL603G T0
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Single Phase
ტექნოლოგია : Standard
ვოლტაჟი - მწვერვალის უკუ (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 6A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 6A
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 200V
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : 4-SIP, KBL
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : KBL

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RMB2S-E3/80

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 3P 200V TO269AA. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt

  • B6M-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBM. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 600 Volt

  • B4M-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 400V 500MA MBM. Bridge Rectifiers 0.5 Amp 400 Volt

  • MB2M-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM. Bridge Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 35 Amp IFSM

  • TSS4B03GHC2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B.

  • TS25P04G C2G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    BRIDGE RECT 1P 400V 25A TS-6P.