GS1J-LTP ფასები (აშშ დოლარი) [2078253ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.01780
- 7,500 pcs$0.01582
- 15,000 pcs$0.01345
- 37,500 pcs$0.01266
- 52,500 pcs$0.01186
- 187,500 pcs$0.01028
- Ნაწილი ნომერი:
- GS1J-LTP
- მწარმოებელი:
- Micro Commercial Co
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC. Rectifiers 600V,1A
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Micro Commercial Co GS1J-LTP electronic components. GS1J-LTP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GS1J-LTP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GS1J-LTP პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
GS1J-LTP
მწარმოებელი :
Micro Commercial Co
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1V @ 1A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
15pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-214AC (SMA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
C4D10120E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A
-
MMBD914LT1HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A
-
BAS16-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
ცხელი ნაწილები
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF
选择你的位置