Diodes Incorporated - PDS4150Q-13

KEY Part #: K6452372

PDS4150Q-13 ფასები (აშშ დოლარი) [123324ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.29992
  • 5,000 pcs$0.26385

Ნაწილი ნომერი:
PDS4150Q-13
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 150V 4A POWERDI5.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დენის მართვის მოდული, Thististors - DIACs, SIDACs and დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated PDS4150Q-13 electronic components. PDS4150Q-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PDS4150Q-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PDS4150Q-13 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : PDS4150Q-13
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 150V 4A POWERDI5
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 150V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 4A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 810mV @ 8A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 150V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : PowerDI™ 5
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerDI™ 5
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MBRD6100CT-TP

    Micro Commercial Co

    6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER

  • MBRD560TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 60V 5A DPAK.

  • GL41M-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM10-800-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • RGL34K-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM