Vishay Siliconix - SI8466EDB-T2-E1

KEY Part #: K6416593

SI8466EDB-T2-E1 ფასები (აშშ დოლარი) [498647ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.07455
  • 3,000 pcs$0.07418

Ნაწილი ნომერი:
SI8466EDB-T2-E1
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დენის მართვის მოდული, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI8466EDB-T2-E1 electronic components. SI8466EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8466EDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8466EDB-T2-E1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI8466EDB-T2-E1
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 8V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : -
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 13nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 710pF @ 4V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 780mW (Ta), 1.8W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 4-Microfoot
პაკეტი / საქმე : 4-UFBGA, WLCSP

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • BS170-D75Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR8743TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 160A DPAK.

  • TK35A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 35A TO-220.