თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. ინტეგრირებული სქემები (ICS)
  4. მეხსიერება
  5. W949D6DBHX5I

Winbond Electronics - W949D6DBHX5I

KEY Part #: K939880

W949D6DBHX5I ფასები (აშშ დოლარი) [27148ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.68788
  • 312 pcs$1.56874
Ნაწილი ნომერი:
W949D6DBHX5I
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 512M mDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp, 46nm
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ლოგიკა - გეითსი და ინვერტორები, ლოგიკა - ლატჩები, PMIC - PFC (დენის ფაქტორების კორექტირება), PMIC - ან კონტროლერები, იდეალური დიოდები, სპეციალიზებული აივ, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს, PMIC - თერმული მენეჯმენტი and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W949D6DBHX5I electronic components. W949D6DBHX5I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W949D6DBHX5I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W949D6DBHX5I პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W949D6DBHX5I
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - Mobile LPDDR
მეხსიერების ზომა : 512Mb (32M x 16)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 5ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 60-TFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 60-VFBGA (8x9)

Უახლესი ცნობები

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85AS4MTPF-G-BCERE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP.

  • R1LP5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • W949D2DBJX5I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp, 46nm

ცხელი ნაწილები